劉三姐，湖南邵陽人，博士，講師，澳门新葡萄新京青年骨幹教師，嶽陽
市“小荷”人才支持計劃人選。
一、教育背景與工作經曆
2014
年畢業于遵義師範學院物理與機電工程系物理學專業，獲理學學士
學位；
2020
年畢業于北京科技大學數理學院物理學專業，獲博士學位（碩博連
讀）；
2020
年至今在澳门新葡萄新京從事教學科研工作。
研究方向
：半導體物理
研究内容
：低溫等離子體增強型原子層沉積高品質
AlN
和
GaN
薄膜，采
用襯底表面原位處理的方法對界面進行調控，并研究其生長機理，圍繞生長
過程中可能出現的雜質、外延等沉積難點和熱點問題進行集中研究。
二、教學情況
主講課程：
《大學物理》《集成電路工藝原理》
三、主持科研項目
1.
國家自然科學基金青年項目，異質外延
GaN
的界面調控方法及其機理研
究，批準号：
62304077, 2024.1-2026.12,
主持
,
在研
.
2.
湖南省自然科學基金青年項目，石英玻璃襯底上原子層沉積
GaN
薄膜及
其在
LED
器件中的應用研究，批準号：
2022JJ40163, 2022.1-2024.12,
主持
,
在研
.
三、 代表性學術成果
[1]
Sanjie Liu
et al. Plasma-enhanced Atomic Layer Deposition of Crystalline
GaN Thin Films on Quartz Substrates with Sharp Interfaces [J]. Journal of
Vacuum Science and Technology A. 2023, 41(5): 052405.
(SCI)
[2]
Sanjie Liu
et al. Structural, Surface, and Optical Properties of AlN Thin Films
Grown on Different Substrates by PEALD. Crystals, 2023, 13(6): 910.
(SCI)
[3]
Sanjie Liu
et al. Baking and plasma pretreatment of sapphire surfaces as a way
to facilitate the epitaxial plasma-enhanced atomic layer deposition of GaN thin
films [J]. Applied Physics Letters, 2020, 116(21): 1601.
(SCI)
[4]
Sanjie Liu
et al. Interfacial Tailoring for the Suppression of Impurities in GaN
by In-situ Plasma Pretreatment via Atomic Layer Deposition [J]. ACS applied
materials & interfaces, 2019, 11(38): 35382-35388.
(SCI)
[5]
Sanjie Liu
et al. PE-ALD-deposited crystalline GaN films on Si (100)
substrates with sharp interfaces [J]. Chinese Physics B, 2019, 28(2): 026801.
(SCI)
[6]
Sanjie Liu
et al. PE-ALD-Grown Crystalline AlN Films on Si (100) with
Sharp Interface and Good Uniformity [J]. Nanoscale research letters, 2017, 12(1):
279.
(SCI)
